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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | WDIP, DIP28,.6 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.61 |
| 风险等级： | 5.14 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | UVPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | WDIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 12.75 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.72 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | EPROMs |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27C256QE200 | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256QE200 | TI |
获取价格 |
IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NM27C256QE200 | ROCHESTER |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERDIP-28 |
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| NM27C256QE200 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256QE250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERDIP-28 |
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| NM27C256QE90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256QM150 | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256QM150 | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 150ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| NM27C256QM250 | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
|
| NM27C256QM250 | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 250ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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