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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WDIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.73 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | WDIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.969 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27C256Q250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERDIP-28 |
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| NM27C256Q90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256Q90 | ROCHESTER |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERDIP-28 |
|
| NM27C256QE100 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
|
| NM27C256QE120 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C256QE120 | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
|
| NM27C256QE120 | ROCHESTER |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERDIP-28 |
|
| NM27C256QE120 | TI |
获取价格 |
IC 32K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NM27C256QE150 | FAIRCHILD |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
|
| NM27C256QE150 | NSC |
获取价格 |
262,144-Bit (32K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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