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NGTG30N60FWG

更新时间： 2024-11-05 12:26:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
9页 175K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

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NGTG30N60FWG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：6.75Samacsys Description：NULL
最大集电极电流 (IC)：60 A集电极-发射极最大电压：600 V
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-609代码：e3最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：167 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

NGTG30N60FWG 数据手册

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NGTG30N60FWG  
IGBT  
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and  
cost effective Trench construction, and provides superior performance  
in demanding switching applications, offering both low on state  
voltage and minimal switching loss.  
http://onsemi.com  
Features  
• Optimized for Very Low V  
CEsat  
• Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation  
• 5 ms Short−Circuit Capability  
• These are Pb−Free Devices  
30 A, 600 V  
VCEsat = 1.5 V  
Typical Applications  
• Power Factor Correction  
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
G
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector−emitter voltage  
V
CES  
600  
E
Collector current  
@ TC = 25°C  
I
C
A
60  
30  
@ TC = 100°C  
Pulsed collector current, T  
I
120  
A
pulse  
CM  
limited by T  
Jmax  
Short−circuit withstand time  
t
5
ms  
SC  
V
= 15 V, V = 300 V,  
GE  
CE  
G
T ≤ +150°C  
TO−247  
CASE 340L  
STYLE 4  
J
C
E
Gate−emitter voltage  
V
GE  
$20  
$30  
V
Transient Gate Emitter Voltage  
(t = 5 ms, D < 0.010)  
p
Power Dissipation  
@ TC = 25°C  
P
W
°C  
D
MARKING DIAGRAM  
167  
67  
@ TC = 100°C  
Operating junction temperature  
range  
T
−55 to +150  
J
Storage temperature range  
T
−55 to +150  
°C  
°C  
stg  
G30N60F  
AYWWG  
Lead temperature for soldering, 1/8”  
from case for 5 seconds  
T
SLD  
260  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
NGTG30N60FWG  
Package  
Shipping  
TO−247 30 Units / Rail  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
December, 2012 − Rev. 0  
NGTG30N60FW/D  
1234567...9

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NGTG30N60FWG 替代型号

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