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NESG3031M14-T3FB-A

更新时间： 2024-01-04 20:08:26

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
3页	101K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, LEADLESS MINIMOLD, M14, 4 PIN

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技术参数
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NESG3031M14-T3FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEADLESS MINIMOLD, M14, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	0.25 pF
集电极-发射极最大电压：	4.3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	Base Number Matches：	1

NESG3031M14-T3FB-A 数据手册

浏览型号NESG3031M14-T3FB-A的Datasheet PDF文件第1页

NESG3031M14

PACKAGE DIMENSIONS (Units in mm)

4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PACKAGE)

1.0 0.05

+0.07

0.8

-0.05

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

Life Support Applications

These NEC products are not intended for use in life support devices, appliances, or systems where the malfunction of these products can reasonably

be expected to result in personal injury. The customers of CEL using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and

agree to fully indemnify CEL for all damages resulting from such improper use or sale.

04/26/2004

A Business Partner of NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.

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与NESG3031M14-T3FB-A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NESG3032M14	CEL	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR	获取价格
NESG3032M14	RENESAS	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	获取价格
NESG3032M14-A	CEL	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR	获取价格
NESG3032M14-A	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon Germanium, NPN	获取价格
NESG3032M14-A	RENESAS	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	获取价格
NESG3032M14-A-YFB	RENESAS	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格