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NESG3031M14-A

更新时间： 2024-02-06 02:41:24

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CEL		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
9页	548K
描述
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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NESG3031M14-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.25 pF	集电极-发射极最大电压：	4.3 V
配置：	SINGLE	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	Base Number Matches：	1

NESG3031M14-A 数据手册

NESG3031M14

DC CURRENT GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

DC CURRENT GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

1,000

100

1,000

V^CE= 2 V

V^CE= 1 V

100

0.1

100

0.1

100

Collector Current IC (mA)

DC CURRENT GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

GAIN BANDWIDTH PRODUCT

vs. COLLECTOR CURRENT

1,000

100

V^CE= 1 V

f = 2 GHz

V^CE= 3 V

0.1

Collector Current I^C(mA)

Collector Current IC (mA)

GAIN BANDWIDTH PRODUCT

vs. COLLECTOR CURRENT

GAIN BANDWIDTH PRODUCT

vs. COLLECTOR CURRENT

VCE = 3 V

VCE = 2 V

f = 2 GHz

Collector Current IC (mA)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

1 2 345 6 7...9

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