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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.34 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 5.5 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT)： | 11500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NESG220034-T1 | NEC | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER M |
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| NESG220034-T1 | RENESAS | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER M |
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| NESG220034-T1-A | NEC | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER M |
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| NESG220034-T1-A | RENESAS | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| NESG220034-T1-FB-A | RENESAS | UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| NESG220034-T1FB-A | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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