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NE5550234

更新时间: 2024-02-27 18:20:37
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瑞萨 - RENESAS /
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16页 1174K
描述
Silicon Power MOS FET

NE5550234 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.83
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.6 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):12.5 W子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YESBase Number Matches:1

NE5550234 数据手册

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NE5550234  
MOUNTING PAD LAYOUT DIMENSIONS  
3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) (UNIT: mm)  
2.2  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
Remark The mounting pad layout in this document is for reference only.  
When designing PCB, please consider workability of mounting, solder joint reliability, prevention of solder  
bridge and so on, in order to optimize the design.  
R09DS0039EJ0100 Rev.1.00  
Apr 25, 2012  
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