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NE3508M04

更新时间： 2024-02-23 06:23:09

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11页	1291K
描述
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

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NE3508M04 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	12 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NE3508M04 数据手册

NE3508M04

REFERENCE DATA

MINIMUMNOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN

vs. DREIN CURRENT

MINIMUMNOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN

vs. DREIN TO SOURCE VOLTAGE

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

f=2.5GHz, VDS=2V

f=2.5GHz, ID=10mA

NFmin

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

Drein to Source Voltage VDS (V)

Drein Current ID (mA)

@f=2.5GHz, VDS=3V, ID=30mA(non-RF)

-10

-20

-30

-40

-50

-60

-70

-80

Pout(2tone)

IM3L

IM3H

-25

-20

-15

-10

-5

Pin (dBm)

1 2 345 6 7...11

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