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NE3508M04

更新时间： 2024-01-28 02:55:28

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描述
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

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NE3508M04 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	12 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NE3508M04 数据手册

NE3508M04

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS(TA = +25 °C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Drain Current

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

VDS

---

dBm

Input Power

---

ELECTRICAL CHARACTERISTICS TA = +25 °C)

PARAMETER

Gate to Source Leak Current

Saturated Drain Current

Gate to Source Cutoff Voltage

Trans conductance

SYMBOL TEST CONDITIONS

MIN.

---

TYP.

MAX.

UNIT

IGSO

IDSS

VGS(off)

VGS=-3V

µA

VDS=2V, VGS=0V

VDS=2V, ID=100µA

VDS=2V, ID=10mA

120

-0.65

---

-0.35

100

---

-0.5

---

Noise Figure

0.45

0.9

VDS=2V, ID=10mA

2GHz

Associated Gain

---

VDS=3V,

ID=30mA(Non-RF)

Output Power at 1dB Gain

Compression Point

Po(1dB)

---

dBm

2GHz

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PRELIMINARY PRODUCT INFORMATION

123 4 5 6 7...11

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