NDP410B

更新时间： 2024-11-07 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管局域网
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP410B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

NDP410B 数据手册

May 1994

NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BE

NDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BE

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This

very high density process has been especially

tailored to minimize on-state resistance, provide

superior switching performance, and withstand high

energy pulses in the avalanche and commutation

modes. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as automotive, DC/DC

converters, PWM motor controls, and other battery

powered circuits where fast switching, low in-line

power loss, and resistance to transients are needed.

9 and 8A, 100V. R_DS(ON)= 0.25 and 0.30W.

Critical DC electrical parameters specified at

elevated temperature.

Rugged internal source-drain diode can eliminate

the need for an external Zener diode transient

suppressor.

175°C maximum junction temperature rating.

High density cell design (3 million/in²) for extremely

low R_DS(ON)

TO-220 and TO-263 (D²PAK) package for both

through hole and surface mount applications.

_____________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

T_C= 25°C unless otherwise noted

NDP410A NDP410AE

NDB410A NDB410AE

NDP410B NDP410BE

NDB410B NDB410BE

Symbol Parameter

Units

V_DSS

V_DGR

V_GSS

Drain-Source Voltage

100

±20

±40

Drain-Gate Voltage (R_GS< 1 MW)

Gate-Source Voltage - Continuous

- Nonrepetitive (t_P< 50 ms)

Drain Current - Continuous

- Pulsed

I_D

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

0.33

W/°C

°C

T_J,T_STGOperating and Storage Temperature Range

-65 to 175

275

T_L

Maximum lead temperature for soldering

purposes, 1/8" from case for 5 seconds

°C

NDP410.SAM

12 3 4 5 6

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与NDP410B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDP410BE	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP410BEL	TI	获取价格	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP410BL	TI	获取价格	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP410BS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDP502C1R1	AMPHENOL	获取价格	Thermometrics Epoxy-Coated Chip Thermistor
NDP502C1R10	AMPHENOL	获取价格	Thermometrics Epoxy-Coated Chip Thermistor
NDP502C1R2	AMPHENOL	获取价格	Thermometrics Epoxy-Coated Chip Thermistor
NDP502C1R3	AMPHENOL	获取价格	Thermometrics Epoxy-Coated Chip Thermistor
NDP502C1R5	AMPHENOL	获取价格	Thermometrics Epoxy-Coated Chip Thermistor
NDP502C2AR1	AMPHENOL	获取价格	Thermometrics Epoxy-Coated Chip Thermistor

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