NDH8301N

更新时间： 2024-11-24 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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10页	213K
描述
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDH8301N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDH8301N 数据手册

December 1996

NDH8301N

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance. These

devices are particularly suited for low voltage applications such

as notebook computer power management, and other battery

powered circuits where fast switching, and low in-line power

loss are needed in a very small outline surface mount package.

3 A, 20 V. R_DS(ON)= 0.06 W @ V_GS= 4.5 V

R_DS(ON)= 0.075 W @ V_GS= 2.7 V.

Proprietary SuperSOT^TM-8 package design using copper

lead frame for superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

____________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise note

Symbol Parameter

Units

NDH8301N

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1)

(Note 1 )

0.8

Maximum Power Dissipation

P_D

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1)

156

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

NDH8301N Rev.E

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NDH8301N/L86Z	TI	获取价格	3000mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH8301N/S62Z	TI	获取价格	3000mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH8301NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
NDH8301NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
NDH8301NX	TI	获取价格	3000mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH8302P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| SO
NDH8302P/L86Z	TI	获取价格	2000mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH8302P/L99Z	TI	获取价格	2000mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDH8302PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o

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