5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDH8301NX | TI |
获取价格 |
3000mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDH8302P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2A I(D) | SO |
|
| NDH8302P/L86Z | TI |
获取价格 |
2000mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDH8302P/L99Z | TI |
获取价格 |
2000mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDH8302PD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| NDH8302PL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| NDH8302PL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| NDH8303N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDH8303ND84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDH8303NL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
