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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB408BL | TI |
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10A, 80V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB408BL/L86Z | TI |
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10A, 80V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB408BL86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| NDB410A | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDB410A/L86Z | TI |
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8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB410AE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDB410AE/L86Z | TI |
获取价格 |
8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB410AEL/L86Z | TI |
获取价格 |
8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB410AL | TI |
获取价格 |
8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB410AL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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