NDB410B

更新时间： 2024-11-24 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDB410B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDB410B 数据手册

May 1994

NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BE

NDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BE

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This

very high density process has been especially

tailored to minimize on-state resistance, provide

superior switching performance, and withstand high

energy pulses in the avalanche and commutation

modes. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as automotive, DC/DC

converters, PWM motor controls, and other battery

powered circuits where fast switching, low in-line

power loss, and resistance to transients are needed.

9 and 8A, 100V. R_DS(ON)= 0.25 and 0.30W.

Critical DC electrical parameters specified at

elevated temperature.

Rugged internal source-drain diode can eliminate

the need for an external Zener diode transient

suppressor.

175°C maximum junction temperature rating.

High density cell design (3 million/in²) for extremely

low R_DS(ON)

TO-220 and TO-263 (D²PAK) package for both

through hole and surface mount applications.

_____________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

T_C= 25°C unless otherwise noted

NDP410A NDP410AE

NDB410A NDB410AE

NDP410B NDP410BE

NDB410B NDB410BE

Symbol Parameter

Units

V_DSS

V_DGR

V_GSS

Drain-Source Voltage

100

±20

±40

Drain-Gate Voltage (R_GS< 1 MW)

Gate-Source Voltage - Continuous

- Nonrepetitive (t_P< 50 ms)

Drain Current - Continuous

- Pulsed

I_D

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

0.33

W/°C

°C

T_J,T_STGOperating and Storage Temperature Range

-65 to 175

275

T_L

Maximum lead temperature for soldering

purposes, 1/8" from case for 5 seconds

°C

NDP410.SAM

12 3 4 5 6

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与NDB410B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDB410B/L86Z	TI	获取价格	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB410BE	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB410BEL	TI	获取价格	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB410BEL/L86Z	TI	获取价格	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB410BEL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDB410BL/L86Z	TI	获取价格	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB4116	NICHIA	获取价格	Blue Laser Diode
NDB4216E	NICHIA	获取价格	Blue Laser Diode
NDB505A/L86Z	TI	获取价格	26A, 50V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB505AE	TI	获取价格	26A, 50V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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