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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDB4050L
NDB4050L PDF预览

NDB4050L

更新时间： 2024-11-24 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 70K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDB4050L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.32Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：40 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDB4050L 数据手册

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April 1996  
NDP4050L / NDB4050L  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
15A, 50V. RDS(ON) = 0.1W @ VGS = 5V  
These logic level N-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process has been especially tailored to minimize on-state  
resistance, provide superior switching performance, and  
withstand high energy pulses in the avalanche and  
commutation modes. These devices are particularly suited for  
low voltage applications such as automotive, DC/DC  
converters, PWM motor controls, and other battery powered  
circuits where fast switching, low in-line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
Low drive requirements allowing operation directly from logic  
drivers. VGS(TH) < 2.0V.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need  
for an external Zener diode transient suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through hole  
and surface mount applications.  
_______________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TC = 25°C unless otherwise noted  
NDP4050L  
NDB4050L  
Units  
V
VDSS  
VDGR  
Drain-Source Voltage  
50  
50  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
VGSS  
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 16  
± 25  
15  
V
- Nonrepetitive (tP < 50 µs)  
Drain Current - Continuous  
A
ID  
- Pulsed  
45  
50  
W
W/°C  
°C  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
0.33  
-65 to 175  
275  
Operating and Storage Temperature  
TJ,TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering  
purposes, 1/8" from case for 5 seconds  
°C  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP4050L Rev. B / NDB4050L Rev. C  
123456

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NDB4050L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDB4050 FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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获取价格

 		15A, 50V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB4050L/L99Z TI

获取价格

 		15A, 50V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB4050L/S62Z TI

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 		15A, 50V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB4050L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDB4050LL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDB4050LS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDB405A TI

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 		15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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 		15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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