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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 250 ns | 最大开启时间（吨）： | 270 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB4060L/L86Z | TI |
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15A, 60V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB4060L/L99Z | TI |
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15A, 60V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB4060L/S62Z | TI |
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15A, 60V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB4060L86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| NDB4060LL86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NDB4060LL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NDB4060LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NDB406A | TI |
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15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406A/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB406AE | TI |
获取价格 |
15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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