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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 80 ns | 最大开启时间（吨）： | 120 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB406A/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406AE | TI |
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15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406AE/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406AEL/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406AL | TI |
获取价格 |
15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406AL/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406B | TI |
获取价格 |
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406BE | TI |
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12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406BE/L86Z | TI |
获取价格 |
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB406BEL | TI |
获取价格 |
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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