5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 270 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB4050L/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 50V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB4050L/L99Z | TI |
获取价格 |
15A, 50V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB4050L/S62Z | TI |
获取价格 |
15A, 50V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB4050L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDB4050LL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDB4050LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDB4050S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDB405A | TI |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB405A/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB405AE | TI |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
