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NCEP60T12AD

更新时间： 2024-04-09 19:00:34

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新洁能 - NCEPOWER		/
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7页	1113K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP60T12AD 数据手册

NCEP60T12AD

http://www.ncepower.com

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_A-Case Temperature(℃)

Figure 7 Capacitance vs Vds

Figure 9 Power De-rating

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_A-Case Temperature (℃)

(Note 3)

Figure 8 Safe Operation Area

Figure 10 Current De-rating

Square Wave Pluse Duration(sec)

Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page5

V1.0

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