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NCEP10N12

更新时间： 2024-04-09 18:59:05

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新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	417K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP10N12 数据手册

NCEP10N12,NCEP10N12D

T_J-Junction Temperature(°C)

T_J-Junction Temperature (°C)

Figure 7 Power De-rating

Figure 9 Current De-rating

I_D=35 A

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 8 Safe Operation Area

Figure 10 Rdson-Junction Temperature

Square Wave Pluse Duration(sec)

Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 4

V2.0

http://www.ncepower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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