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NCEP10N12

更新时间: 2024-04-09 18:59:05
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新洁能 - NCEPOWER 栅极
页数 文件大小 规格书
7页 417K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻(RDS(on))与超低栅极电荷(Qg)的特点,结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

NCEP10N12 数据手册

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NCEP10N12,NCEP10N12D  
TJ-Junction Temperature(°C)  
TJ-Junction Temperature (°C)  
Figure 7 Power De-rating  
Figure 9 Current De-rating  
ID=35 A  
Vds Drain-Source Voltage (V)  
TJ-Junction Temperature()  
Figure 8 Safe Operation Area  
Figure 10 Rdson-Junction Temperature  
Square Wave Pluse Duration(sec)  
Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 4  
V2.0  
http://www.ncepower.com  

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