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NCE65N180

更新时间： 2024-04-09 18:59:21

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新洁能 - NCEPOWER		/
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7页	670K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品。采用第四代技术超结技术的产品，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体

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NCE65N180 数据手册

NCE65N180

* limited by maximum junction temperature

Table 2. Thermal Characteristic

Parameter

Symbol

R_thJC

Value

0.77

Unit

°C /W

Thermal Resistance，Junction-to-Case（Maximum）

Thermal Resistance，Junction-to-Ambient （Maximum）

R_thJA

Table 3. Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

On/off states

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃)

Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125℃)

Gate-Body Leakage Current

Gate Threshold Voltage

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=250μA

V_DS=650V,V_GS=0V

V_GS=±20V,V_DS=0V

V_DS=V_GS,I_D=250μA

V_GS=10V, I_D=10A

650

μA

100

±100

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

R_DS(ON)

3.5

Drain-Source On-State Resistance

Dynamic Characteristics

Input Capacitance

160

180

mΩ

C_lss

C_oss

C_rss

Q_g

1200

1.5

1400

V_DS=50V,V_GS=0V,

F=1.0MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Total Gate Charge

Gate-Source Charge

Q_gs

Q_gd

Vgp

R_G

V_DS=480V,I_D=10.5A,

V_GS=10V

Gate-Drain Charge

6.5

6.1

Gate plateau voltage

Intrinsic gate resistance

f = 1 MHz open drain

Switching times

Turn-on Delay Time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Turn-on Rise Time

V_DD=380V,I_D=10A,

R_G=1.7Ω,V_GS=10V

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Source- Drain Diode Characteristics

Source-drain current(Body Diode)

Pulsed Source-drain current(Body Diode)

Forward On Voltage

I_SD

I_SDM

V_SD

t_rr

T_C=25°C

Tj=25°C,I_SD=20A,V_GS=0V

0.9

300

4.5

1.2

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Peak Reverse Recovery Current

Tj=25°C,I_F=10A,

di/dt=100A/μs

Q_rr

I_rrm

Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

2. Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V, R_G=25Ω

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 2

http://www.ncepower.com

V1.0

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