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NCE15P30

更新时间： 2024-04-09 18:58:52
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新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
7页 770K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE15P30 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCE15P30  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 4)  
RθJA  
50  
℃/W  
Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage Current  
On Characteristics (Note 3)  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=-250μA  
VDS=-150V,VGS=0V  
VGS=±20V,VDS=0V  
-150  
-
-
-
-
1
V
-
-
μA  
nA  
IGSS  
±100  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
RDS(ON)  
gFS  
VDS=VGS,ID=-250μA  
VGS=-10V, ID=-20A  
VGS=-4.5V, ID=-20A  
VDS=-10V,ID=-20A  
-1.5  
-1.8  
78  
-2.5  
88  
95  
-
V
-
-
-
mΩ  
mΩ  
S
Drain-Source On-State Resistance  
81.5  
50  
Forward Transconductance  
Dynamic Characteristics (Note4)  
Input Capacitance  
Clss  
Coss  
Crss  
-
-
-
6015  
117  
85  
-
-
-
pF  
pF  
pF  
VDS=-75V,VGS=0V,  
F=1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics (Note 4)  
Turn-on Delay Time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
-
-
-
-
-
-
-
17  
80  
-
-
-
-
-
-
-
nS  
nS  
nS  
nS  
nC  
nC  
nC  
Turn-on Rise Time  
VDD=-75V,ID=-20A  
VGS=-10V,RGEN=9.1Ω  
Turn-Off Delay Time  
45  
Turn-Off Fall Time  
65  
Total Gate Charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
124  
20  
VDS=-75V,ID=-20A,  
VGS=-10V  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
28  
Drain-Source Diode Characteristics  
Diode Forward Voltage (Note 3)  
Diode Forward Current (Note 2)  
Reverse Recovery Time  
VSD  
IS  
VGS=0V,IS=-20A  
-
-
-
-
-
-
-
-1.2  
V
A
-30  
trr  
90  
145  
-
-
nS  
nC  
TJ = 25°C, IF =-20A  
di/dt = 100A/μs(Note3)  
Reverse Recovery Charge  
Forward Turn-On Time  
Qrr  
ton  
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)  
Notes:  
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
2. The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA =25° C. The value in any  
given application depends on the user's specific board design, and the maximum temperature of 150° C may be used if the PCB allows it.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.  
4. Guaranteed by design, not subject to production  
5. EAS condition：Tj=25℃,VDD=-50V,VG=-10V,L=0.5mH,Rg=25Ω  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 2  
V1.0  
1234567

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与NCE15P30相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE15P30K NCEPOWER

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 		新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
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 		新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
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 		新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
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