是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1, TSSOP48,.8,20 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.19 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 35 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 |
JESD-609代码: | e3/e6 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 8589934592 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 8K | 端子数量: | 48 |
字数: | 536870912 words | 字数代码: | 512000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512MX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 页面大小: | 1K words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8 V | 编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN/TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NAND08GR4B3BZB6E | STMICROELECTRONICS |
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512MX16 FLASH 1.8V PROM, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS | |
NAND08GR4B3CZC6 | STMICROELECTRONICS |
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512MX16 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LFBGA- | |
NAND08GR4B3CZC6E | STMICROELECTRONICS |
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512MX16 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C | |
NAND08GR4B3CZC6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
512MX16 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LFBGA- | |
NAND08GR4B4CN1E | NUMONYX |
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4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash | |
NAND08GR4B4CN1F | NUMONYX |
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4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash | |
NAND08GR4B4CN6E | NUMONYX |
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4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash | |
NAND08GR4B4CN6F | NUMONYX |
获取价格 |
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash | |
NAND08GR4B4CZL1E | NUMONYX |
获取价格 |
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash | |
NAND08GR4B4CZL1F | NUMONYX |
获取价格 |
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash |