5秒后页面跳转
N34100D1EB1S PDF预览

N34100D1EB1S

更新时间: 2024-09-25 03:47:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管电压倍频二极管
页数 文件大小 规格书
3页 280K
描述
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink

N34100D1EB1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.67Is Samacsys:N
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VOLTAGE MULTIPLIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-XJESD-609代码:e0
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

N34100D1EB1S 数据手册

 浏览型号N34100D1EB1S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N34100D1EB1S的Datasheet PDF文件第3页 

与N34100D1EB1S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N34100D1EBC1S MICROSEMI

获取价格

Voltage Multiplier Diode, Silicon,
N34100D1EN1S MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink
N34100D1FBC1S MICROSEMI

获取价格

Voltage Multiplier Diode, Silicon,
N34100D1FC1S MICROSEMI

获取价格

Voltage Multiplier Diode, Silicon,
N34100D1TB1S MICROSEMI

获取价格

Voltage Multiplier Diode, Silicon,
N34100D1TBC1S MICROSEMI

获取价格

Voltage Multiplier Diode, Silicon,
N34100H1EB1S MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink
N34100H1EC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,
N34100H1EN1S MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink
N34100H1FC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,