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N34100H1EB1S

更新时间: 2024-11-13 03:47:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 280K
描述
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink

N34100H1EB1S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-XXMA-XReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.75
应用:GENERAL PURPOSE配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-XJESD-609代码:e0
相数:1封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

N34100H1EB1S 数据手册

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