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N21256-08

更新时间： 2024-11-12 15:45:47

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	508K
描述
Page Mode DRAM, 256KX1, 80ns, MOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18

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N21256-08 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC18,.33X.53	针数：	18
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.89
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PQCC-J18	JESD-609代码：	e0
长度：	12.346 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	PAGE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	18	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC18,.33X.53	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	座面最大高度：	3.556 mm
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.366 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N21256-10	INTEL	获取价格	Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18
N21256-12	INTEL	获取价格	Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PQCC18
N21256-15	INTEL	获取价格	Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, MOS, PQCC18
N2-12V	ETC	获取价格	FERNMELDELAMPE T2/7MM SOCKEL 12V
N2130B1EB1S	MICROSEMI	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,
N2130B1EBC1S	MICROSEMI	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,
N2130B1EC1S	MICROSEMI	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,
N2130B1EN1S	MICROSEMI	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,
N2130B1FB1S	MICROSEMI	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,
N2130B1FBC1S	MICROSEMI	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,