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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC18,.33X.53 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PQCC-J18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC18,.33X.53 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 | 子类别： | DRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N21256-15 | INTEL |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, MOS, PQCC18 |
|
| N2-12V | ETC |
获取价格 |
FERNMELDELAMPE T2/7MM SOCKEL 12V |
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| N2130B1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| N2130B1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| N2130B1EC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| N2130B1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| N2130B1FB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| N2130B1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| N2130B1FC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| N2130B1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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