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N20160C1FB1SE3

更新时间: 2024-11-10 08:35:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

N20160C1FB1SE3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
应用:POWER配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
相数:1

N20160C1FB1SE3 数据手册

  

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