5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| 应用： | POWER | 配置： | COMPLEX |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 相数： | 1 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N20160C1TN1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| N20160D1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| N20160D1EC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| N20160D1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| N20160D1FB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| N20160D1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| N20160D1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| N20160D1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| N20160D1TC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| N20160D1TN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
