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N1683CZ35

更新时间： 2024-02-16 18:12:01

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IXYS		/
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8页	74K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 7680 A, 3500 V, SCR, 101A322, 3 PIN

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N1683CZ35 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	300 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	7680 A
断态重复峰值电压：	3500 V	重复峰值反向电压：	3500 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

N1683CZ35 数据手册

WESTCODE ^{Positive development in power electronics}

N1683xx29xxx to N1683xx35xxx

Curves

Figure 1, Maximum on-state characteristic

Figure 2, Transient thermal impedance

10000

100

Single side cooled

Double side cooled

Tj=125°C

Tj=25°C

1000

0.1

N1683CH29-35

99T12-Issue 2

N1683CH29-35

99T12-Issue 2

100

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

On state volt drop, VT, (Volts)

Pulse width, tp (seconds).

Figure 3, Maximum non repetitive surge

Figure 4, Gate characteristics, 25°C

1000000

Max Peak Vg (rise time of Ig = 1µs)

I²t:V_RRM=10V

Pg Max 30W

Pg d.c. 4W

I²t:60%V_RRM

Igt,Vgt

100000

10000

1000

Max Vg d.c.

I_TSM:V_RRM=10V

I_TSM:60%V_RRM

Min Vg d.c.

Igd,Vgd

T_j(initial)=125°C

N1683CH29-35

99T12-Issue 2

N1683CH29-35

99T12-Issue 2

Gate May Temporarily Lose Control

0.1

0.01

1.00

E-03

1.00

E-

1.00

^E-0110

1.00

+00

1.00E+01

0.1

Duration of

surge (ms)

Duration of surge (Cycles @ 50 Hz)

Gate current, I_G,(Amperes).

Types N1683xx29xxx to N1683xx35xxx Rating Report 99T12

page 5 of 8

December, 1999

1 2 3 456 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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N1683CZ35HOO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 7680A I(T)RMS, 3500V V(DRM), 3500V V(RRM), 1 Element, 101A32	获取价格
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