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N16D1618LPAT2-75I

更新时间： 2024-02-12 16:44:05

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NANOAMP		动态存储器
页数	文件大小	规格书
27页	671K
描述
512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronous DRAM

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N16D1618LPAT2-75I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
长度：	20.95 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	50	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP50,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

N16D1618LPAT2-75I 数据手册

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NanoAmp Solutions, Inc.

N16D1618LPA

670 North McCarthy Blvd. Suite 220, Milpitas, CA 95035

ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770

www.nanoamp.com

Advance Information

512K × 16 Bits × 2 Banks Low Power Synchronous DRAM

DESCRIPTION

These N16D1618LPA are low power 16,777,216 bits CMOS Synchronous DRAM organized as 2 banks of 524,288

words x 16 bits. These products are offering fully synchronous operation and are referenced to a positive edge of the

clock. All inputs and outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally

pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.

Features

• JEDEC standard 1.8V power supply.

• Auto refresh and self refresh.

• All pins are compatible with LVTTL interface.

• 4K refresh cycle / 64ms.

• Programmable Burst Length and Burst Type.

- 1, 2, 4, 8 or Full Page for Sequential Burst.

- 4 or 8 for Interleave Burst.

• All inputs and outputs referenced to the positive

edge of the system clock.

• Data mask function by DQM.

• Internal dual banks operation.

• Burst Read Single Write operation.

• Special Function Support.

-PASR (Partial Array Self Refresh)

-Auto TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)

• Programmable CAS Latency : 2,3 clocks.

• Automatic precharge, includes CONCURRENT

• Programmable Driver Strength Control.

Auto Precharge Mode and controlled Precharge

- Full Strength or 1/2, 1/4 of Full Strength

• Deep Power Down Mode

Table 1: Ordering Information

PART NO.

CLOCK Freq.

Temperature

VDD/VDDQ

INTERFACE

PACKAGE

N16D1618LPAZ2-75I

N16D1618LPAZ2-10I

N16D1618LPAC2-60I

N16D1618LPAC2-75I

N16D1618LPAC2-10I

N16D1618LPAT2-60I

N16D1618LPAT2-75I

N16D1618LPAT2-10I

133MHz

100MHz

166MHz

133MHz

100MHz

166MHz

133MHz

100MHz

48-Ball Green

FBGA

60-Ball Green

WBGA

-25^oC to

85^oC

1.8V/1.8V

LVTTL

50-Pin Green

TSOP II

Stock No. 23395- Rev L 1/06

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N16D1618LPAW-75C	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS,
N16D1618LPAW-75I	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS,
N16D1618LPAZ2-10C	NANOAMP	获取价格	DRAM
N16D1618LPAZ2-10I	NANOAMP	获取价格	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou
N16D1618LPAZ2-75I	NANOAMP	获取价格	512K 】 16 Bits 】 2 Banks Low Power Synchronou
N16D1618LPAZ2-80I	NANOAMP	获取价格	DRAM
N16D1625LPAC2-10C	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 8ns, CMOS, PBGA60, GREEN, FBGA-60
N16D1625LPAC2-10I	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, PBGA60, GREEN, FBGA-60
N16D1625LPAC2-75C	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, GREEN, FBGA-60
N16D1625LPAT2-10C	ISSI	获取价格	DRAM,

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