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N1200CH36LOO

更新时间: 2024-11-07 20:02:15
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 237K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 5590A I(T)RMS, 4850000mA I(T), 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element

N1200CH36LOO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-MEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.82Is Samacsys:N
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:300 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:1000 mAJESD-30 代码:O-MEDB-N2
通态非重复峰值电流:35500 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:4850000 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:5590 A重复峰值关态漏电流最大值:300000 µA
断态重复峰值电压:3600 V重复峰值反向电压:3600 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

N1200CH36LOO 数据手册

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