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N1200CH38HOO

更新时间: 2024-11-05 20:02:15
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 237K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 5590A I(T)RMS, 4850000mA I(T), 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 1 Element

N1200CH38HOO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-MEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.82配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:400 V/us最大直流栅极触发电流:300 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:1000 mA
JESD-30 代码:O-MEDB-N2通态非重复峰值电流:35500 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:4850000 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:5590 A
重复峰值关态漏电流最大值:300000 µA断态重复峰值电压:3800 V
重复峰值反向电压:3800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

N1200CH38HOO 数据手册

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