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N0734YS140

更新时间： 2024-11-20 20:04:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
9页 92K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1465A I(T)RMS, 1230000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, 101A335, 3 PIN

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N0734YS140 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.83
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：500 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X3
最大漏电流：40 mA通态非重复峰值电流：8400 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：1230000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1465 A
断态重复峰值电压：1400 V重复峰值反向电压：1400 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

N0734YS140 数据手册

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Date:- 6 Feb, 2001  
Data Sheet Issue:- 1  
WESTCODE  
Phase Control Thyristor  
Types N0734YS120 to N0734YS160  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1200-1600  
1200-1600  
1200-1600  
1300-1700  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, 25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, 25°C, (note 4)  
734  
494  
A
A
290  
A
1465  
1231  
8400  
9240  
353×103  
427×103  
500  
A
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
A
≤
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
I2t  
≤
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
diT/dt  
1000  
5
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
Mean forward gate power  
2
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
Operating temperature range  
0.25  
V
THS  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, ITM=1500A, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet Issue 1. Types N0734YS120 to N0734YS160.  
Page 1 of 9  
February, 2001  
1234567...9

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与N0734YS140相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N0734YS160 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1465A I(T)RMS, 1230000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1
N-07-50-0-C-LC MOLEX

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 		185.42mm (7.300") UV Black Cable Tie, 50 Pound Tensile Strength, 100/Bag
N-07-50-0-M-LC MOLEX

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 		185.42mm (7.300") UV Black Cable Tie, 50 Pound Tensile Strength, 1000/Bag
N-07-50-9-M-LC MOLEX

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 		185.42mm (7.300") Natural Cable Tie, 50 Pound Tensile Strength, 1000/Bag
N-07-50-MH-0-M-LC MOLEX

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 		203.20mm (8.000") UV Black Cable Tie, 50 Pound Tensile Strength, #10 Mounting1000/Bag
N-07-50-MH-9-M-LC MOLEX

获取价格

 		203.20mm (8.000") Natural Cable Tie, 50 Pound Tensile Strength, #10 Mounting Hole1000/Bag
N0782YS120-160 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1554A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
N0800R RENESAS

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 		PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
N0800R-T1-AT RENESAS

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 		PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
N0800S RENESAS

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 		NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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