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N01S830HAT22IT

更新时间： 2024-02-25 03:50:27

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安森美 - ONSEMI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	99K
描述
1 Mb Ultra-Low Power Serial SRAM

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技术参数
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N01S830HAT22IT 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	96 weeks	风险等级：	5.77
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

N01S830HAT22IT 数据手册

N01S830HA, N01S830BA

SCK

11 12 13

Data in

Instruction

24−bit address

SIO[3:0]

C1 C0 A5 A4 A3 A2 A1 A0 H0 L0 H1 L1 H2 L2

MSB MSB

Hn Ln

Notes: C[1:0] = 02h

H0 = 4 high order bits of data byte 0

L0 = 4 low order bits of data byte 0

H1 = 4 high order bits of data byte 1

L1 = 4 low order bits of data byte 1

Figure 8. QUAD Write Sequence

READ Mode Register (RDMR)

This instruction provides the ability to read the mode

during a Write operation. The Read Mode Register

operation is executed by driving CS low, then sending the

RDMR instruction to the device. Immediately after the

instruction, the device outputs data on the SO (SIO0-3)

pin(s). To complete the operation, drive CS high to terminate

the register read.

SCK

10 11 12 13 14 15

Instruction

Mode Register Data Out

High−Z

Figure 9. SPI Read Mode Register Sequence (RDMR)

SCK

Instruction

Mode Bits

Notes: C[3:0] = 05h

SIO[1:0]

C3 C2 C1 C0

MSB

Figure 10. DUAL Read Mode Register Sequence (RDMR)

www.onsemi.com

1...4 5 678 9 10...13

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