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N01S830HAT22IT

更新时间： 2024-02-23 17:05:49
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 99K
描述
1 Mb Ultra-Low Power Serial SRAM

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N01S830HAT22IT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：TSSOP-8Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：96 weeks风险等级：5.77
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：8字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
座面最大高度：1.1 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
宽度：3 mmBase Number Matches：1

N01S830HAT22IT 数据手册

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N01S830HA, N01S830BA  
Table 8. CAPACITANCE (Note 2)  
Item  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
7
Units  
pF  
C
V
V
= 0 V, f = 1 MHz, T = 25°C  
IN  
IN  
A
C
= 0 V, f = 1 MHz, T = 25°C  
7
pF  
I/O  
IN  
A
2. These parameters are verified in device characterization and are not 100% tested.  
Table 9. TIMING TEST CONDITIONS  
Item  
Input Pulse Level  
Value  
0.1 V to 0.9 V  
CC  
CC  
Input Rise and Fall Time  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
5 ns  
0.5 V  
CC  
CL = 30 pF  
Industrial (I): −40°C to +85°C  
Operating Temperature  
Automotive (E): −40°C to +125°C  
Table 10. TIMING  
I−Temp  
E−Temp  
Min  
Max  
20  
Min  
Max  
16  
Characteristic  
Clock Frequency  
Symbol  
Units  
MHz  
ns  
f
CLK  
Clock Rise Time  
t
R
20  
20  
Clock Fall Time  
t
F
20  
20  
ns  
Clock High Time  
t
25  
25  
25  
25  
50  
25  
5
32  
32  
32  
32  
50  
32  
5
ns  
HI  
Clock Low Time  
t
LO  
ns  
Clock Delay Time  
CS Setup Time  
t
ns  
CLD  
CSS  
CSH  
CSD  
t
ns  
CS Hold Time  
t
t
ns  
CS Disable Time  
SCK to CS  
ns  
t
ns  
SCS  
Data Setup Time  
Data Hold Time  
t
10  
10  
10  
10  
ns  
SU  
t
ns  
HD  
Output Valid From Clock Low  
Output Hold Time  
Output Disable Time  
HOLD Setup Time  
HOLD Hold Time  
HOLD Low to Output High−Z  
HOLD High to Output Valid  
t
25  
20  
32  
20  
ns  
V
t
0
0
ns  
HO  
t
ns  
RDIS  
t
10  
10  
10  
10  
10  
10  
ns  
HS  
t
ns  
HH  
t
HZ  
ns  
t
50  
50  
ns  
HV  
www.onsemi.com  
10  
 
1...78910111213

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