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N01S830HAT22IT

更新时间： 2024-01-06 14:51:40

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安森美 - ONSEMI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	99K
描述
1 Mb Ultra-Low Power Serial SRAM

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N01S830HAT22IT 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	96 weeks	风险等级：	5.77
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

N01S830HAT22IT 数据手册

N01S830HA, N01S830BA

SCK

Instruction Mode Bits

Notes: C[1:0] = 05h

SIO[3:0]

C1 C0

MSB

Figure 11. QUAD Read Mode Register Sequence (RDMR)

Write Mode Register (WRMR)

This instruction provides the ability to write the mode

driving CS low, then sending the WRMR instruction to the

device. Immediately after the instruction, the data is driven

to the device on the SO (SIO0-3) pin(s). To complete the

operation, drive CS high to terminate the register write.

SCK

10 11 12 13 14 15

Instruction

Mode Register Data In

High−Z

Figure 12. SPI Write Mode Register Sequence

SCK

Notes: C[3:0] = 01h

Instruction

Mode Bits

SIO[1:0]

C3 C2 C1 C0

MSB

Figure 13. DUAL Write Mode Register Sequence

SCK

Instruction Mode Bits

Notes: C[1:0] = 01h

C1 C0

SIO[3:0]

MSB

Figure 14. QUAD Write Mode Register Sequence

www.onsemi.com

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