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N01S830HAT22IT

更新时间： 2024-01-31 13:35:26

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安森美 - ONSEMI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	99K
描述
1 Mb Ultra-Low Power Serial SRAM

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N01S830HAT22IT 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	96 weeks	风险等级：	5.77
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

N01S830HAT22IT 数据手册

N01S830HA, N01S830BA

SCK

10 11

29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

Data In to ADDR 1

Instruction

24−bit address

23 22 21 20

ADDR 1

High−Z

40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55

Data In to ADDR 2 Data In to ADDR 3

Data In to ADDR n

...

High−Z

Figure 6. SPI Write Sequence

SCK

12 13 14 15 16 17 18 19 20 21

Instruction

24−bit address

Data in

A3 A2 A1 A0 H0 H0 L0 L0 H1 H1

MSB

C3 C2 C1 C0 A11 A10

Ln Ln

SIO1:0]

MSB

Notes:

C[3:0] = 02h

H0 = 2 high order bits of data byte 0

L0 = 2 low order bits of data byte 0

H1 = 2 high order bits of data byte 1

L1 = 2 low order bits of data byte 1

Figure 7. DUAL Write Sequence

www.onsemi.com

1...3 4 567 8 9...13

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