5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.47 | 最大击穿电压： | 31.5 V |
| 最小击穿电压： | 28.5 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 25.6 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MXP6KE30ATRE3 | MICROSEMI |
功能相似  |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MXP6KE30AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
|
| MXP6KE30ATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
|
| MXP6KE30C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 24.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
| MXP6KE30CA | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
| MXP6KE30CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
|
| MXP6KE30CAE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
|
| MXP6KE30CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
| MXP6KE30CATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
|
| MXP6KE30CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 24.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
|
| MXP6KE30CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 24.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
