5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.59 | 最大击穿电压： | 69.3 V |
| 最小击穿电压： | 56.7 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.52 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 51 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MXLCE51A | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
| MXLCE51AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
|
| MXLCE51AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
|
| MXLCE51AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
|
| MXLCE51ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
| MXLCE51E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
|
| MXLCE51E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
|
| MXLCE51TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
| MXLCE54 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 54V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
| MXLCE54A | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 54V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
