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MX2N4416A

更新时间： 2024-10-01 14:54:03

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美高森美 - MICROSEMI		/
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1页	36K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, TO-72, TO-72, 4 PIN

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MX2N4416A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.03
Is Samacsys：	N	JEDEC-95代码：	TO-72
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	JESD-609代码：	e0
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MX2N4416A 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL J-FET

Equivalent To MIL-PRF-19500/428

DEVICES

LEVELS

MQ = JAN Equivalent

2N4416A

MX = JANTX Equivalent

MV = JANTXV Equivalent

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Gate-Source Voltage

Symbol

Value

Unit

V_GS

V_DS

V_DG

I_G

P_T

T_j, T_stg

-35

300

Vdc

mAdc

mWdc

°C

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate Current

Power Dissipation

T_A= +25°C⁽¹⁾

Operating Junction & Storage Temperature Range

-65 to + 200

(1) Derate linearly 1.7 mW/°C for T_A> +25°C.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0μA dc

V_(BR)GSS

-35

Vdc

TO-72

(TO-206AF)

Gate Reverse Current

I_GSS

I_DSS

-0.1

ηAdc

mAdc

Vdc

V_DS= 0, V_GS= 20V dc

Drain Current

V_DS= 15V dc

Gate-Source Voltage

V_GS

-1

-5.5

-6.0

_DS= 15V, I_D= 0.5mA dc

Gate-Source Cutoff Voltage

_DS= 15V, I_D= 1.0ηA dc

V_GS(off)

V_GSF

-2.5

Vdc

Gate-Source Forward Voltage

V_DS= 0V, I_G= 1.0mA dc

Vdc

Magnitude of Small-Signal, Common-Source

Short-Circuit Forward Transfer Admittance ⁽²⁾

V_GS= 0, V_DS= 15V dc, f = 1.0kHz

|y_fs|⁽²⁾

4.5

7.5

4.0

Small-Signal, Common-Source Short-Circuit

Input Capacitance

C_iss

V_GS= 0, V_DS= 15V dc, 100kHz ≤ f ≤1.0MHz

Small-Signal, Common-Source Short-Circuit

Reverse Transfer Capacitance

V_DS= 15V dc, V_GS= 0, 100kHz ≤ f ≤1.0MHz

C_rss

0.8

2.0

Small-Signal, Common-Source Short-Circuit

Output Capacitance

C_oss

V_DS= 15V dc, V_GS= 0, 100kHz ≤ f ≤1.0MHz

(2) Pulse Width = 100ms; Duty Cycle = 100%

T4-LDS-0008 Rev. 2 (0080111)

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