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MX2N4859 PDF预览

MX2N4859

更新时间： 2024-02-04 08:43:46
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA, TO-18, 3 PIN

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MX2N4859 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.66
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏源导通电阻：25 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：8 pFJEDEC-95代码：TO-206AA
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/385表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MX2N4859 数据手册

 浏览型号MX2N4859的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
N-CHANNEL J-FET  
Equivalent To MIL-PRF-19500/385  
DEVICES  
LEVELS  
MQ = JAN Equivalent  
MX = JANTX Equivalent  
MV = JANTXV Equivalent  
2N4856 2N4858 2N4860  
2N4857 2N4859 2N4861  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N4856  
2N4859  
2N4860  
2N4861  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
2N4857  
2N4858  
Unit  
Gate-Source Voltage  
VGS  
VDS  
-40  
40  
-30  
30  
V
V
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
VDG  
IG  
40  
30  
V
Gate Current  
50  
mA  
Power Dissipation  
TA = +25°C (1)  
PT  
0.36  
1.8  
W
W
TC = +25°C (2)  
Operating Junction & Storage Temperature Range  
(1) Derate linearly 2.06 mW/°C for TA > +25°C.  
(2) Derate linearly 10.3 mW/°C for TC > +25°C.  
Tj, Tstg  
-65 to + 200  
°C  
TO-18  
(TO-206AA)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Gate-Source Breakdown Voltage  
2N4856, 2N4857, 2N4858  
2N4859, 2N4860, 2N4861  
-40  
-30  
VDS = 0, IG = -1.0μA dc  
V(BR)GSS  
Vdc  
Gate-Source “Off” State Voltage  
VDS = 15V dc  
ID = 0.5ηA dc  
2N4856, 2N4859  
2N4857, 2N4860  
2N4858, 2N4861  
-4.0  
-2.0  
-0.8  
-10  
-6.0  
-4.0  
VGS(off)  
Vdc  
Gate Reverse Current  
VDS = 0, VGS = -20V dc  
2N4856, 2N4857, 2N4858  
2N4859, 2N4860, 2N4861  
-0.25  
-0.25  
IGSS  
ηA  
ηA  
V
DS = 0, VGS = -15V dc  
Drain Current Cutoff  
GS = -10V dc, VDS = 15V dc  
Drain Current Zero Gate Voltage  
VGS = 0, VDS = 15V dc 2N4856, 2N4859  
ID(off)  
0.25  
V
50  
20  
8.0  
175  
100  
80  
IDSS  
VDS(on)  
rds(on)  
mA  
Vdc  
Ω
2N4857, 2N4860  
2N4858, 2N4861  
Drain-Source “On” State Voltage  
VGS = 0, ID = 20mA dc  
VGS = 0, ID = 10mA dc  
VGS = 0, ID = 5.0mA dc  
2N4856, 2N4859  
2N4857, 2N4860  
2N4858, 2N4861  
0.75  
0.50  
0.50  
Static Drain – Source “On” State Resistance  
VGS = 0, ID = 1.0mA dc  
25  
40  
60  
2N4856, 2N4859  
2N4857, 2N4860  
2N4858, 2N4861  
T4-LDS-0002 Rev. 2 (090603)  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MX2N4860 MICROSEMI

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