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MX2N5114UB

更新时间: 2024-10-01 14:54:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 239K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET

MX2N5114UB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.77FET 技术:JUNCTION
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.5 W子类别:FET General Purpose Small Signal
表面贴装:YESBase Number Matches:1

MX2N5114UB 数据手册

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