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MX25L1608DZNI-12G

更新时间： 2024-02-10 10:32:43

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旺宏电子 - Macronix		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
56页	3301K
描述
EEPROM, 8MX2, Serial, CMOS, PDSO8, 6 X 5 MM, 0.80 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-220, WSON-8

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MX25L1608DZNI-12G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFN	包装说明：	HVSON, SOLCC8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.B.1	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
备用内存宽度：	1	最大时钟频率 (fCLK)：	86 MHz
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
长度：	6 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	2
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装等效代码：	SOLCC8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.8 mm
串行总线类型：	3-WIRE	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
类型：	NOR TYPE	宽度：	5 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	100 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

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MX25L1608D

MX25L3208D

MX25L6408D

16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

32M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

64M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

FEATURES

GENERAL

• Serial Peripheral Interface compatible -- Mode 0 and Mode 3

• 16M:16,777,216 x 1 bit structure or 8,388,608 x 2 bits (two I/O read mode) structure

32M:33,554,432 x 1 bit structure or 16,772,216 x 2 bits (two I/O read mode) structure

64M:67,108,864 x 1 bit structure or 33,554,432 x 2 bits (two I/O read mode) structure

• 512 Equal Sectors with 4K byte each (16Mb)

1024 Equal Sectors with 4K byte each (32Mb)

2048 Equal Sectors with 4K byte each (64Mb)

- Any Sector can be erased individually

• 32 Equal Blocks with 64K byte each (16Mb)

64 Equal Blocks with 64K byte each (32Mb)

128 Equal Blocks with 64K byte each (64Mb)

- Any Block can be erased individually

• Single Power Supply Operation

- 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Latch-up protected to 100mA from -1V to Vcc +1V

PERFORMANCE

• High Performance

- Fast access time: 86MHz serial clock

- Serial clock of two I/O read mode : 50MHz, which is equivalent to 100MHz

- Fast program time: 1.4ms(typ.) and 5ms(max.)/page (256-byte per page)

- Byte program time: 9us (typical)

- Continuously program mode (automatically increase address under word program mode)

- Fast erase time: 60ms(typ.) /sector (4K-byte per sector) ; 0.7s(typ.) /block (64K-byte per block); 14s(typ.) /chip

for 16Mb, 25s(typ.) for 32Mb, and 50s(typ.) for 64Mb

• Low Power Consumption

- Low active read current: 25mA(max.) at 86MHz, and 10mA(max.) at 33MHz

- Low active programming current: 20mA (max.)

- Low active erase current: 20mA (max.)

- Low standby current: 20uA (max.)

- Deep power-down mode 1uA (typical)

• Typical 100,000 erase/program cycles

• 20 years of data retention

SOFTWARE FEATURES

• Input Data Format

- 1-byte Command code

• Advanced Security Features

- Block lock protection

The BP0-BP3 status bit deﬁnes the size of the area to be software protection against program and erase instruc-

tions

- Additional 512-bit secured area for unique identiﬁer

• Auto Erase and Auto Program Algorithm

Automatically erases and veriﬁes data at selected sector

Automatically programs and veriﬁes data at selected page by an internal algorithm that automatically times the

program pulse widths (Any page to be programed should have page in the erased state ﬁrst)

P/N: PM1505

REV. 1.0, AUG. 28, 2009

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