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MURTA20060

更新时间： 2024-11-11 01:09:51

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GENESIC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	469K
描述
Silicon Super Fast Recovery Diode

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MURTA20060 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PUFM-X3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.54
应用：	SUPER FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X3	最大非重复峰值正向电流：	2000 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	100 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	25 µA	最大反向恢复时间：	0.11 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

MURTA20060 数据手册

MURTA20060 thru MURTA200120R

V_RRM= 600 V - 1200 V

I_F(AV)= 200 A

Silicon Super Fast

Recovery Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 600 V to 1200 V V_RRM

• Isolation Type Package

• Electrically Isolated Base Plate

• Not ESD Sensitive

Heavy Three Tower Package

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Conditions

MURTA200120(R)

Parameter

Symbol

MURTA20060(R)

Unit

V_RRM

1200

Repetitive peak reverse voltage

600

V_RMS

V_DC

T_j

---

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

424

1200

600

-55 to 150

°C

T_stg

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

T_C= 100 °C

MURTA200120(R)

Parameter

Symbol

I_F(AV)

I_FSM

MURTA20060(R)

Unit

200

Average forward current (per pkg)

Peak forward surge current (per leg)

200

t_p= 8.3 ms, half sine

2000

Maximum instantaneous forward

voltage (per leg)

V_F

_FM= 100 A, T_j= 25 °C

T_j= 25 °C

2.6

1.7

Maximum instantaneous reverse

current at rated DC blocking voltage

(per leg)

μA

I_R

T_j= 125 °C

I_F=0.5 A, I_R=1.0 A,

Maximum reverse recovery time (per

leg)

T_rr

150

110

_RR= 0.25 A

Thermal characteristics

Maximum thermal resistance, junction -

case (per leg)

R_ΘJC

0.45

°C/W

www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/

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