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MURS160-M3/52T

更新时间： 2024-11-08 22:56:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 91K
描述
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

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MURS160-M3/52T 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.56
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：35 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.075 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MURS160-M3/52T 数据手册

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MURS140-M3, MURS160-M3  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Surface-Mount Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Glass passivated pellet chip junction  
• Ideal for automated placement  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
SMB (DO-214AA)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Cathode  
Anode  
TYPICAL APPLICATIONS  
LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters for  
consumer, computer, and telecommunication.  
3
D
3
D
3D Models  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: SMB (DO-214AA)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
IF(AV)  
1.0 A  
VRRM  
400 V, 600 V  
35 A  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
IFSM  
commercial grade  
trr  
VF  
50 ns  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
1.05 V  
TJ max.  
175 °C  
Package  
SMB (DO-214AA)  
Single  
Polarity: color band denotes cathode end  
Circuit configuration  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
MURS140  
MG  
MURS160  
MJ  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
400  
600  
V
V
V
400  
600  
Maximum DC blocking voltage  
400  
600  
TL = 150 °C  
Maximum average forward rectified current at (fig. 1)  
TL = 125 °C  
1.0  
2.0  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
35  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
°C  
Revision: 09-Apr-2020  
Document Number: 89462  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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MURS160-M3/52T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MURS160/2 VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 P
MURS160HE3/5BT VISHAY

完全替代

 Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier

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