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MURC840

更新时间： 2024-11-02 03:24:27
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 整流二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
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6页 327K
描述
MURC805-MURC860 Ultrafast Silicon Die

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MURC840 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIE
包装说明：S-XUUC-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.40风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-XUUC-N2
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.06 µs表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MURC840 数据手册

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SENSITRON  
MURC805-MURC860  
SEMICONDUCTOR  
Data Sheet 4858, Rev.-  
Technical Data  
MURC805-MURC860  
Ultrafast Silicon Die  
Applications:  
• Switching Power Supply • General Purpose • Free-Wheeling Diodes • Polarity Protection Diode  
Features:  
•
•
•
•
•
•
Glass-Passivated  
Epitaxial Construction.  
Low Reverse Leakage Current  
High Surge Current Capability  
Low Forward Voltage Drop  
Fast Reverse-Recovery Behavior  
Maximum Ratings:  
Characteristics  
Symbol MURC MURC MURC MURC MURC MURC Unit  
805  
810  
815  
820  
840  
860  
Peak Inverse Voltage  
VRWM  
IF(AV)  
50  
100  
150  
200  
400  
600  
V
A
Average Rectified Forward  
Current Total Device,(Rated VR),  
TC = 150°C  
Peak Repetitive Forward Current  
(Rated VR, Squre Wave,20KHz),  
TC = 150°C  
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
8.3 ms, half Sine pulse  
8.0  
16  
IFM  
A
A
IFSM  
100  
Operating JunctionTemperature  
and Storage Temperature  
TJ, Tstg  
-65 to +175  
°C  
Electrical Characteristics:  
Characteristics  
Symbol MURC MURC MURC MURC MURC MURC Unit  
805  
810  
815  
820  
840  
860  
Max. Forward Voltage Drop(Note1)  
(IF = 8.0 Amp, TJ = 150 °C)  
(IF = 8.0 Amp, TJ = 25 °C)  
VF  
V
0.895  
0.975  
1.00  
1.30  
1.20  
1.50  
Max. Reverse Current (Note1)  
(Rated DC Voltage, TJ = 150 °C)  
(Rated DC Voltage, TJ = 25 °C)  
Max. Junction Capacitance  
@VR = 5V, TC = 25 °C  
fSIG = 1MHz, VSIG = 50mV (p-p)  
Max Reverse Recovery Time  
(IF = 1.0 Amp, di/dt = 50 A/µs)  
(IF = 0.5 Amp, IR = 1.0 A,  
IR  
µA  
250  
5.0  
500  
10  
CT  
trr  
240  
pF  
nS  
35  
25  
60  
50  
IREC=0.25A)  
1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤2%  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •  
123456

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