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MURB2010CT

更新时间： 2024-01-31 15:53:50
品牌 Logo 应用领域
圣诺 - SENO 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 165K
描述
20.0A GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER

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MURB2010CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
最大非重复峰值正向电流：125 A最高工作温度：150 °C
最大输出电流：10 A最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NOBase Number Matches：1

MURB2010CT 数据手册

 浏览型号MURB2010CT的Datasheet PDF文件第2页 
Zibo Seno Electronic Engineering Co., Ltd.  
MURB2010CT-MURB2060CT  
20.0A GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER  
Features  
!
!
!
!
!
!
Glass Passivated Die Construction  
Super-Fast Switching  
TO-263 (D2PAK)  
Low Forward Voltage Drop  
Low Reverse Leakage Current  
High Surge Current Capability  
Plastic Material has UL Flammability  
Classification 94V-O  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Mechanical Data  
!
!
Case: TO-263(D2PAK), Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
!
Polarity: See Diagram  
!
!
Mounting Position: Any  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
MURB  
MURB  
MURB  
MURB  
MURB  
MURB  
UNIT  
Characterisic  
SYMBOL  
2010CT 2020CT 2030CT 2040CT 2050CT 2060CT  
V
V
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
70  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified  
Current TC=100oC  
20.0  
90  
A
A
V
IF(AV)  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
Half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@10.0 A  
VF  
IR  
1.0  
1.3  
1.7  
Maximum DC Reverse Current @TJ=25oC  
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125oC  
uA  
uA  
10.0  
250  
nS  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Trr  
CJ  
35  
pF  
oCW  
130  
170  
R JC  
3.5  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
oC  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
MURB2010CT-MURB2060CT  
www.senocn.com  
1 of 2  
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12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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