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MURB1620CT-13-F PDF预览

MURB1620CT-13-F

更新时间： 2024-11-11 21:14:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 功效二极管
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 16A, 200V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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MURB1620CT-13-F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.16应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.03 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MURB1620CT-13-F 数据手册

 浏览型号MURB1620CT-13-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MURB1620CT-13-F的Datasheet PDF文件第3页 
MURB1610CT / MURB1620CT  
16A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER  
SPICE MODELS: MURB1610CT MURB1620CT  
Features  
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Diffused Junction  
Super-Fast Recovery Times for High Efficiency  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
E
D2PAK  
G
H
A
Min  
Max  
Dim  
A
4
9.65  
10.69  
·
·
·
Surge Overload Rating to 100A Peak  
Low Reverse Leakage Current  
Also Available in Lead Free Version  
B
14.60 15.88  
J
C
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
B
1
2
3
D
E
Mechanical Data  
G
H
M
·
·
Case: Molded Plastic  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
D
K
J
C
L
K
·
·
L
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2 & 4  
M
·
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin  
Finish). Please see Ordering Information,  
Note 5, on Page 3  
All Dimensions in mm  
·
·
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.7 grams (approx.)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
MURB1610CT  
MURB1620CT  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
100  
70  
200  
140  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 125°C  
16  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
100  
A
Forward Voltage  
@ IF = 8.0A  
VFM  
IRM  
0.975  
V
5.0  
250  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA 25°C  
=
mA  
@ TA = 150°C  
trr  
CT  
Maximum Recovery Time (Note 2)  
Typical Total Capacitance (Note 3)  
30  
85  
ns  
pF  
RqJC  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance Junction to Case  
Operating and Storage Temperature Range  
1.5  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Unit mounted on PC board with 5.0 mm2 (0.013 mm thick) copper pad as heat sink.  
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.  
3. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
DS14005 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
MURB1610CT/MURB1620CT  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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