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MURB1620CTD

更新时间： 2024-01-10 19:50:17
品牌 Logo 应用领域
THINKISEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 256K
描述
16.0 Ampere Surface Mount Tandem Polarity Ultra Fast Recovery Rectifier

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MURB1620CTD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.65
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

MURB1620CTD 数据手册

 浏览型号MURB1620CTD的Datasheet PDF文件第2页 
MURB1620CTD thru MURB1660CTD  
®
MURB1620CTD thru MURB1660CTD  
Pb Free Plating Product  
16.0 Ampere Surface Mount Tandem Polarity Ultra Fast Recovery Rectifier  
Unit : inch (mm)  
D2PAK/TO-263  
Feature  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Fast switching for high efficiency  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Low reverse leakage current  
High surge current capability  
Application  
Automotive Environment(Inverters/Converters)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Plating Power Supply,Adaptor,SMPS and UPS  
Car Audio Amplifiers and Sound Device System  
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case:TO-263/D2PAK pkg case  
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202  
method 208  
Polarity: As marked on diode body  
Mounting position: Any  
Case  
Case  
Case  
Doubler  
Tandem Polarity  
Suffix "CTD"  
Negative  
Common Anode  
Suffix "CTR"  
Positive  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Common Cathode  
Suffix "CT"  
Weight: 2.0 gram approximately  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
UNIT  
SYMBOL  
MURB1620CTD MURB1640CTD MURB1660CTD  
V
V
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
RRM  
RMS  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
Maximum Average Forward Rectified  
16.0  
A
A
V
IF(AV)  
Current T  
C
=100oC  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
Half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
I
FSM  
175  
150  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@ 8.0 A  
V
F
0.98  
1.3  
1.7  
Maximum DC Reverse Current @T  
At Rated DC Blocking Voltage @T  
J
=25oC  
uA  
uA  
nS  
10.0  
250  
I
R
J
=125oC  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Trr  
35  
90  
pF  
C
J
R
JC  
2.2  
oC  
/W  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
oC  
-55 to + 150  
T
J
, TSTG  
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions IF= 0.5A, IR= 1.0A, Irr = 0.25A.  
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.  
(3) Thermal Resistance junction to case.  
Page 1/2  
http://www.thinkisemi.com/  
Rev.04/2014  
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.  
12

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